Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34

Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34

При перемещении движка потенциометра изменяется номинал резистора Rос, как следует, изменяется коэффициент передачи оборотной связи и коэффициент усиления данного усилителя. ^ Лекция №23 Внутренние шумы


23.1. Общие сведения о внутренних шумах
Малое значение усиливаемого сигнала Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34, т.е. чувствительность усилительного устройства, ограничивается внутренними флуктуациями, безизбежно существующими в электронных цепях и компонентах усилительных устройств. Заместо термина флуктуация, что более точно отражает физику явлений, в радиоэлектронике обычно используют термин "шумы". Это вызвано Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 акустическим эффектом в радиоприемных и усилительных устройствах, созданных для проигрывания звуковых колебаний, потому что флуктуационная помеха в громкоговорителе воспроизводится в виде шума.

Флуктуации напряжений и токов в электронных цепях заложены глубоко Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 в природе вещей и являются результатом дискретного строения вещества. Так, к примеру, хаотическое термическое движение свободных электронов в любом проводнике вызывает случайную разность потенциалов на его концах. Этот вид флуктуации именуется термическим шумом. Предпосылкой Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 собственных шумов электрических ламп и полупроводниковых устройств является дискретная природа носителей заряда. Эмиссия электронов накаленным катодом представляет собой случайный процесс, потому что электроны из катода вылетают не в равные Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 промежутки времени, а совсем нерегулярно. Потому анодный ток лампы имеет хаотичные колебания. Эти флуктуации анодного тока делают соответственное шумовое напряжение (напряжение помехи) на нагрузке. Таковой вид флуктуации именуют дробовым шумом, либо дробовым Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 эффектом.


Экспериментально подтверждено, что шум пентода намного больше, чем шум триода. В многосеточных лампах действует очередной источник шума - шум токораспределения. Этот вид шума разъясняется случайным нравом рассредотачивания электронов меж анодом и экранной сетью Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34. На низких частотах шумы электрических ламп растут за счет фликер-эффекта либо эффекта мигания. Эффект мигания вызван неспешными случайными переменами эмиссионных параметров катода.

В полупроводниковых устройствах также имеют место дробовые шумы Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 за счет хаотических процессов генерации и рекомбинации.

Рассмотренные предпосылки внутренних шумов демонстрируют, что все виды флуктуационных помех представляют собой случайный процесс либо случайную функцию времени.


23.2.Главные свойства внутренних шумов

При исследовании случайных процессов Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 было бы целенаправлено пользоваться спектральными представлениями. Но спектральные свойства их оказываются также случайными функциями. Для стационарных процессов можно ввести усредненные спектральные свойства, имеющие энергетический смысл. Для их вводят понятие спектральной плотности мощности.

Спектральная Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 плотность мощности G(ω) в интервале ω определяется как отношение мощности процесса, которая приходится на ω к ширине ω. Для определения плотности мощности в некой "точке" частотного спектра нужно ω 0.

Нескончаемо малая мощность, заключенная в простом участке частотного интервала Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 ω / ω 0=dω. выражается через G(ω) последующим образом;

dP=G(ω)dω (23.1)

Общая мощность процесса равна сумме мощностей, заключенных в простых участках, и определяется выражением

(23.2)

Отсюда видно, что спектральная плотность мощности соответствует усредненной по времени мощности Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34, приходящейся на единицу полосы, и охарактеризовывает рассредотачивание мощности в диапазоне частот. Спектральную плотность, выраженную функцией частоты, именуют энергетическим диапазоном. Энергетический диапазон флуктуационной помехи находится в зависимости от источника флуктуации Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34, также от полосы пропускания цепей, через которые она проходит. При G(ω)=const имеем так именуемый белоснежный шум. На самом деле белоснежного шума нет, но время от времени идеализация допустима и существенно упрощает расчетные соотношения. Итак Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34, имея энергетический диапазон шума, можно отыскать среднеквадратичное напряжение шума

. (23.3)

Разглядим прохождение флуктуационного шума через линейный четырехполюсник с коэффициентом передачи К(jω), на который повлияет стационарное напряжение шума со спектральной плотностью мощности Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 G(ω)вх. Спектральная плотность на выходе

G(ω)вых= G(ω)вх |К (jω)|2, (23.4)

Согласно (23.2), можно отыскать все статистические свойства выходного напряжения шума

= G(ω)вх |К (jω)|2 dω, (23.5)

В случае белоснежного шума G(ω)= Go = const выражение (23.5) воспримет вид

Gвх Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 |К (ω)|2 dω, (23.6)

Для практических расчетов Uш2вых комфортно воспользоваться понятием шумовой полосы пропускания. Для определения шумовой полосы пропускания несколько преобразуем выражение (23.6)

Gвх К2(f)df =

GвхK02 K2(f)df (23.7)

где К(f Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34) - модуль коэффициента передачи Ко - значение модуля на частоте f0. Шумовой полосой пропускания четырехполюсника именуется входящий в правую часть множитель (23.7)

Пш=K2(f)df, (23.8)

Интеграл K2(f)df выражает площадь, заключенную меж Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 кривой K2(f) и осью абсцисс, а деление на К02 дает ширину равновеликого прямоугольника высотой, равной К02. Беря во внимание (23.8), среднеквадратичное значение напряжения шума можно вычислить по формуле:

Uш2вых = GвхКо Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 342 Пш. (23.9)

^ 23.3. Шумы электронных цепей
Шумы электронных цепей разглядим на примере простого RC - контура. Из статистической физики понятно, что неважно какая система, находящаяся в состоянии стационарного термического движения, обладает средним квадратом флуктуационного напряжения на контуре Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34, определяемым по формуле Найквиста:

Uш2=4kТR(f)df,

Uш2=4kТRПш. (23.10)

где k=1,38-10-23 Дж/град - неизменная Больцмана; Т-абсолютная температура по Кельвину.

Это соотношение является более обычной формулой для расчета Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 среднего квадрата флуктуационного напряжения хоть какой цепи, имеющего определенные значения сопротивления R и шумовой полосы пропускания Пш. Анализируя выражение (23.10), можно прийти к выводу, что спектральная плотность мощности термического шума, генерируемого сопротивлением, не находится в Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 зависимости от частоты. Можно отметить, что напряжение термических шумов зависит только от активной составляющей R(ω) сопротивления двухполюсника и не зависит конкретно от реактивной составляющей х(ω).

Для облегчения анализа в схемах шумящее сопротивление Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 обычно подменяют нешумящим сопротивлением такого же значения, включенным поочередно с генератором напряжения шума либо наряду с генератором шумового тока.

Источником внутренних шумов в ^ LC - контуре является активное сопротивление утраты r Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34. ЭДС термического шума, создаваемого этим сопротивлением, определяются в соответствие с выражением (23.10). Реактивные элементы колебательного контура L и С не делают шумов. Среднеквадратичное напряжение шума на контуре за счет резонансных явлений будет существенно Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 выше и определяется выражением

(23.11)

где Q - добротность контура; Roe=- резонансное сопротивление контура.

^ 23.4. Шумы электрических ламп
Разглядим шум диодика, у которого флуктуация эмиссионного тока вполне воспроизводится в анодном токе.

Хаотичность процесса термоэлектронной эмиссии приводит к тому, что Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 секундное значение анодного тока колеблется вокруг среднего значения I0.

Для определения флуктуации анодного тока воспользуемся соотношением (23.2), т.е. средний квадрат флуктуационного шума I2ш определим через энергетический диапазон (спектральную плотность Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 мощности) этого процесса. Средний квадрат флуктуационного тока в неком интервале f можно найти по формуле Шоттки

I2ш= 2I0qПш (23.12)

Выражение (23.12) указывает, что спектральная плотность не находится в зависимости от частоты, т.е Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34. флуктуация анодного тока электрических ламп также является белоснежным шумом.

При анализе шумов триодов комфортно перейти к эквивалентной схеме лампы: реальный, шумящий триод подменяют владеющим теми же параметрами нешумящим триодом, к цепи сетки Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 которого поочередно включен генератор шумового напряжения Uш. ЭДС шумового напряжения определяется последующим соотношением:

Uш2=4KTRшПш (23.13)

Для свойства шумовых параметров лампы применяется шумовое сопротивление лампы Rш. Шумовым сопротивлением лампы именуется такое активное сопротивление Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34, которое при T=300 К будет создавать шумовое напряжение, равное ЭДС шума, пересчитанного в цепь сетки.

Для приемно-усилительных ламп этот параметр непременно задается в справочниках. Обычно для триодов шумовое сопротивление лампы определяется последующим Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 выражением

Rш=2,5/S (23.14)

Рассмотренные выше соотношения справедливы при отсутствии сеточного тока. В почти всех схемах лампы работают при отрицательном смещении, когда сеточный ток очень мал, и при анализе шума его можно не учесть Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34. В многоэлектродных лампах кроме шумов, обусловленных флуктуациями анодного тока, находятся шумы перераспределения катодного тока меж анодом и экранной сетью. Рассредотачивание тока меж обозначенными электродами подвержено хаотическим колебаниям, т.е. электрический поток Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 в лампе испытывает непрерывные флуктуации, потому уровень шума многосеточных ламп намного больше, чем у триодов.

Пентоды характеризуются также шумовым сопротивлением

Rш= (23.15)

где S - крутизна, мА/В Iа, Iэ - анодный и экранный токи Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34, мА. Шумовое сопротивление пентодов в среднем в 3-6 раз больше, чем у триодов.

^ 23.5. Внутренние шумы полупроводниковых устройств
Большой энтузиазм представляет исследование электронных флуктуации в полупроводниках и полупроводниковых устройствах (ППП), так как их исследование делает Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 базу для глубочайшего осознания параметров полупроводниковых материалов и устройств. Представления о природе этих флуктуации могут быть применены в качестве средства исследования физики полупроводниковых устройств и материалов. А именно, они позволяют четче найти некие физические Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 явления и поточнее найти физические характеристики материалов и устройств по сопоставлению с другими способами. В полупроводниковых устройствах имеют место термический шум, дробовой шум и низкочастотный шум. Термический шум обоснован хаотическим движением Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 носителей заряда в объеме полупроводника и их взаимодействием с кристаллической решеткой. Напряжение шума определяется по формуле Найквиста.

шт2=4kTRПш. (23.16)

В транзисторе распределенное сопротивление базы rб преобладает над распределенными сопротивлениями эмиттера и Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 коллектора, потому при расчете уровня термического шума учитывают только шумы базисного сопротивления

штб2=4KTrбПш. (23.17)

Дробовой шум в ППП обоснован флуктуацией числа носителей тока, пересекающих область пространственного заряда p-n - перехода. Флуктуации носителей Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 тока в полупроводниковых устройствах вызваны хаотическим процессом генерации и рекомбинации. Интенсивность дробовых шумов по аналогии с ламповыми диодиками определяется по формуле Шоттки:

Iдр2=2qI0Пш. (23.18)

Дробовые шумы появляются как в эмиттерном, так и Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 в коллекторном переходах транзистора и их среднеквадратичные напряжения рассчитываются соответственно:

=2qrэ2(Iэ+Iэ0)Пш (23.19)

дрк2=2qrк2(h21б Iэ+Iк0) Пш (23.20)

где rэ, rк - дифференциальные сопротивления эмиттерного и коллекторного p-n - переходов соответственно Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34; h21Б - коэффициент передачи по току в схеме с общей базой; Iэ0 - оборотный ток эмиттерного p-n - перехода: Iэ - ток эмиттера.

Если теория термических и дробовых шумов довольно много разработана Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 применительно к широкой классу ППП и получила не плохое экспериментальное доказательство, то такового заключения еще нереально сделать по низкочастотному шуму. На базе бессчетных данных экспериментального исследования внутренних шумов ППП в области низких частот можно отметить Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 последующие характеристики:

- слабенькая температурная зависимость;

- мощная зависимость уровня от состояния поверхности реального прибора;

- зависимость шума от механических деформаций, дозы радиации, плотности дислокации и изъянов структуры.

Спектральная плотность мощности шума в области низких Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 частот имеет вид:

G(f) =AInf--f. (23.21)

где I – ток, протекающий через p-n переход;

А - коэффициент, учитывающий физические характеристики прибора;

n - показатель токовой зависимости (n12);

=0,52 – коэффициент частотной зависимости, определяющий Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 скорость спада спектральной плотности;

Более возможной предпосылкой появления низкочастотного шума считается флуктуация плотности носителей заряда, вызывающая флуктуации проводимости. Последние, в свою очередь, могут быть вызваны последующими причинами: генерация-рекомбинация носителей; флуктуация высоты потенциального Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 барьера; туннельное прохождение носителей через возможный барьер диффузии носителей. Обозначенные процессы могут протекать как в объеме, так и на поверхности полупроводникового прибора. Одними из главных источников низкочастотного шума в полупроводниковых устройствах являются недостатки Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 кристаллической решетки, рассмотренные выше. Эти недостатки делают дискретные энерго уровни в нелегальной зоне, которые могут проявлять себя в качестве рекомбинационных центров. При этом время захвата этих центров может принимать значения до нескольких Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 минут, тем существенное воздействие оказывают на электронные характеристики р-n перехода. Расчеты, проведенные для большого центра, локализованного в обедненной области р-n перехода демонстрируют, что случайные процессы эмиссии носителей заряда глубочайших центров Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 приводят к большой неизменной времени и возникновению НЧ шумов. Уровень шума определяется концентрацией дефектных уровней. Посреди разных моделей НЧ шума можно выделить модели, которые связывают происхождение шума со качествами поверхности Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 полупроводников. Эти модели основываются на случайном рассредотачивании поверхностного потенциала, образуемого статистическим рассредотачиванием связанных зарядов, локализованных в оксидном слое. Приобретенные результаты находят довольно четкое экспериментальное доказательство.

Одной из разновидностей НЧ шума является Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 "взрывной шум". Этому вопросу в ближайшее время посвящено существенное число работ. Источник взрывного шума пока не полностью ясен, но считается, что он связан с наличием тонких, очень легированных эмиттерных переходов. Возникновение и исчезновение импульсов Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 связывается с одной ловушкой в области пространственного заряда. Более правдоподобной теорией взрывного шума следует считать дислокационную теорию, находящуюся в неплохом согласии с тестом. Таким макаром, в полупроводниковых устройствах имеются последующие процессы Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 обусловливающие НЧ шумы: а) флуктуация тока за счет захвата носителей большими центрами, локализованными в однородных областях кристалла; б) флуктуация тока вследствие флуктуации высоты потенциального барьера р-n - перехода; в) флуктуации тока за счет захвата Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 и эмиссии носителей заряда неспешными поверхностными состояниями; г) флуктуации тока вследствие конфигурации потенциала в при поверхностной области p-n перехода.


ОГЛАВЛЕНИЕ

Лекция №1 4

Введение в дисциплину 4

«Схемотехника аналоговых электрических устройств» 4

1.1. Общие сведения об Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 аналоговых электрических устройствах 4

7

1.2.Программка дисциплины 7

1.3.Балльно-рейтинговая система оценки познаний. 11

1.4.Рекомендуемая литература. 13

Высококачественные характеристики и свойства 15

аналоговых электрических устройств. 15

2.1. Главные определения 15

2.2. Входные и выходные характеристики. 17

Коэффициент усиления. 18

2.4. Амплитудно-частотная черта. 20

2.5.Фазовая черта Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34. 21

2.6. Амплитудная черта. 22

2.7. Нелинейные преломления. 24

2.8. Переходная черта. 24

Лекция №3 26

Базы построения электрических усилителей 26

3.1. Принципы построения усилительных устройств. 26

3.2. Построение усилительного каскада на электрической лампе. 26

3.3. Построение усилительных каскадов на полевых транзисторах. 28

3.4. Работа электрической лампы Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 и полевого транзистора в схеме АЭУ. 30

3.5. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах. 32

3.6. Работа биполярного транзистора в усилительном каскаде. 35

3.7. Схемы межкаскадной связи. 36

Лекция №4 39

Обеспечение и стабилизация режима работы 39

усилительного элемента по неизменному Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 току. 39

4.1. Режим работы усилительного элемента. 39

4.2. Цепи подачи смещения. 41

4.3. Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов. 43

Лекция №5 46

Подготовительные усилители напряжения 47

5.1. Общие сведения о подготовительных усилителях. 47

5.2. Принципные схемы подготовительных усилителей. 47

5.3. Эквивалентная схема усилителя. 49

5.4. Методика анализа резисторного каскада 52

подготовительного усилителя Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34. 52

Лекция №6 53

Анализ каскада подготовительного усиления. 53

6.1. Анализ резисторного каскада в области средних частот. 53

6.2. Анализ резисторного усилителя на больших частотах. 54

6.3. Анализ резисторного каскада в области нижних частот. 58

Лекция №7 63

Импульсные и широкополосные усилители. 63

7.1. Общие Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 сведения и принципы построения импульсных усилителей. 63

7.2. Анализ импульсного усилителя в области малых времен 65

7.3. Анализ импульсного усилителя в области огромных времен 67

Лекция №8 70

Цепи коррекций в импульсных и широкополосных усилителях 70

8.1. Предназначение подкорректирующих цепей 70

8.2. Обычная индуктивная Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 частотная корректировка 70

8.3. Эмиттерная частотная корректировка 74

8.4. Низкочастотная корректировка 75

Лекция №9 78

Выходные каскады усилителей 78

9.1. Общие сведения о выходных каскадах 78

9.2. Методы построения однотактных выходных каскадов 79

9.3. Эквивалентная схема трансформаторного каскада 82

9.4. Выходные динамические свойства 83

9.5. Построение ВДХ Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 для каскада с емкостной связью 84

9.6. Построение ВДХ для трансформаторного каскада 86

9.7. Анализ однотактного выходного каскада в режиме А 87

9.8. Анализ однотактного трансформаторного 89

усилителя мощности в режиме А. 89

Лекция №10 91

Двухтактные выходные каскады 91

10.1. Резисторные двухтактные усилители напряжения Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 91

10.2. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности 92

10.3. Работа двухтактного каскада в режиме В. 93

10.4. Анализ двухтактного трансформатора усилителя мощности 98

10.5. Фазоинверсные схемы 99

Лекция №11 102

Бестрансформаторные двухтактные усилители мощности 102

11.1 Общие сведения 102

11.2. Принцип построения бестрансформаторного усилителя мощности 102

11.3. Бестрансформаторный усилитель мощности с Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 дополнительной 104

симметрией 104

11.4. Бестрансформаторный усилитель мощности на 106

составных транзисторах 106

Лекция №12 108

Курсовое проектирование 108

12.1. Цель курсового проектирования 109

12.2 Содержание и тема проекта 109

12.3. Правила выполнения и дизайна курсового проекта 110

12.4. Организация работ и последовательность проектирования 112

Лекция №13 114

Оборотная связь Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 в аналоговых электрических устройствах 114

13.1. Систематизация видов оборотной связи 114

Рис.13.1. Структурные схемы усилителей 114

13.2. Воздействие оборотной связи на высококачественные характеристики АЭУ 116

13.3. Воздействие ООС на входное и выходное сопротивления. 118

13.4. Воздействие ООС на амплитудно-частотную Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 характеристику 119

Лекция №14 120

Усилительные каскады с разными видами оборотной связи 120

14.1. Усилительные каскады с поочередной ООС по току 120

14.2. Воздействие частей автоматического смещения и эммитерной стабилизации на АЧХ 121

14.4 Усилительный каскад с паралелльной ООС Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 по напряжению 123

14.5. Усилитель с глубочайшей оборотной связью 124

14.6. Истоковые и эмиттерные повторители 124

Лекция №15 127

Усилители неизменного тока 127

15.1. Предназначение и особенности построения 127

15.2. УПТ с конкретной связью 128

15.3. Схемы сдвига уровня неизменного напряжения 129

15.4. Дрейф нуля и методы его Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 уменьшения 130

15.5. Балансные усилители неизменного тока 131

133

Лекция №16 134

Особые каскады УПТ 134

16.1. Дифференциальные усилители 134

16.2. Усилители неизменного тока с преобразованиями сигнала 137

16.3. УПТ с внедрением оптрона 139

Лекция №17 141

Аналоговые электрические устройства на интегральных микросхемах 141

17.1. Общие сведения об Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 интегральных микросхемах 141

17.2. Особенности интегральной схемотехники 143

17.3. Усилители низкой частоты на интегральных микросхемах. 146

17.4. Усилитель мощности на интегральных микросхемах 149

Лекция №18 152

Операционные усилители 152

18.1. Общие сведения об операционных усилителях 152

18.2. Принципные схемы операционных усилителей 153

18.3. Характеристики и свойства ОУ 155

Лекция Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 №19 159

Амплитудно-частотная черта операционного усилителя. Корректировка ОУ 159

19.1. Диаграмма Боде 159

19.2. Обеспечение стойкости ОУ 162

19.3. Корректировка частотной свойства ОУ 163

165

Лекция №20 165

Применение ОУ в устройствах аналоговой обработки сигналов 165

20.1. Неинвертирующий усилитель 165

20.2. Суммирующее устройство 167

20. 3. Повторитель напряжения 168

20.4. Инвертирующий Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 усилитель 168

20.5. Вычитающее устройство 169

20.6. Интегрирующее устройство 170

20.7. Дифференцирующее устройство 172

20.8. Логарифмирующее устройство 173

Лекция №21 174

Активные фильтры 174

21.1. Общие сведения об активных фильтрах 175

21.2. Пассивные RС – фильтры 175

21.3. Реализация активных фильтров 177

21.4. Активные фильтры высочайшего порядка 178

21.5. Полосовые и заграждающие АФ 178

21.6. Общие сведения о регулировках Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 тембра 180

21.7 Принцип регулировки тембра на базе АФ 181

21.8. Регулятор тембра на базе АФ 182

Лекция №22 184

Регулировка усиления 184

22.1. Общие сведения о регулировках усиления 184

22.2. Регулировка усиления конфигурацией входного сигнала 185

22.3. Тонкомпенсирующие регуляторы усиления 186

22.4. Регулировка усиления изминением режима Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 работы 187

усилительного элемента 187

22.5. Регулировка конфигурацией глубины оборотной связи. 188

При перемещении движка потенциометра изменяется номинал резистора Rос, как следует, изменяется коэффициент передачи оборотной связи и коэффициент усиления данного усилителя. 188

Лекция №23 189

Внутренние шумы 189

23.1. Общие Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - страница 34 сведения о внутренних шумах 189

23.3. Шумы электронных цепей 192

23.4. Шумы электрических ламп 193

23.5. Внутренние шумы полупроводниковых устройств 195








kurs-lekcij-po-ekonomika-stroitelstva-referat.html
kurs-lekcij-po-makroekonomike-a-a-fridman.html
kurs-lekcij-po-odnoimennoj-discipline-dlya-studentov-dnevnogo-i-zaochnogo-otdelenij-elektrotehnicheskih-specialnostej-gomel-2007-stranica-2.html